Архив за етикет: полупроводници

Изкуствена кожа със свойствата на сензор

Преди няколко години, учени от Калифорнийския университет в Бъркли са създали изкуствена кожа, която благодарение на намиращата се в нея електрониката усеща натиск.

Тя представлява силициева пластинка, покрита със тънък слой пластмаса, на които са нанесени полупроводници. В крайния етап на производството пластинката се отделя, остава тънка лента и разположените на нея детайли.

Сега учените са успели да направят така, че при докосване кожата да свети. Това е така, защото всяка проба е с резолюция 16×16 пиксела. От друга страна, всеки пиксел, който се състои от транзистор, светодиод и датчик за налягане, свети на това място, където става контакта с кожата.

Освен това силата на светене зависи от силата на натиска.

Ако по-рано учените са искали да използват своето изобретение в роботиката и направата на протези, сега те планират да създадат устройство, което ще следи промените на налягането и пулса.

Китайски учени са демонстрирали предаване по мрежа чрез светодиоди

Учени от института за изследване на полупроводници в Китай са демонстрирали предаване на видео, чрез лаптоп, като са използвали светодиоди. Пропусквателната способност на този вид мрежа е бил 2 мегабита в секунда.
За предаватели са използвали сини светодиоди, поставени на тавана. Тези диоди е можело да бъдат използвани и за осветяване на помещението. Според разработчиците, тази технология, ще позволява да се създаде безжична мрежа за управление на един „умен“ дом. Дом, който е добре механизиран.
Системата може да бъде приложена, както към дома, така и към офиса. Характерното за този вид мрежа е, че тя е безопасна за човека. Но тя не може да замени Wi – Fi или Bluetooth, защото светодиодите работят  при пряка видимост и техните сигнали не могат да проникнат през стената. Има и още едно ограничение. Такава мрежа може да предава, но не и да приема информация.
Началото на тази технология е поставено през октомври 2008 г. Теоретически пропусквателната способност на такава мрежа може да достигне до 10 мегабита за секунда. През април 2010 г. е пуснато производството на прототипното устройство. Окончателните резултати от това изследване, учените очакват да получат през 2018 г.